Transistör

Ortak uç ifadesi, kullanıldığı bağlama göre farklı anlamlara gelebilir: Elektronik devrelerde: Transistörlerde, hem giriş hem de çıkış terminali olarak kullanılan, devre topolojisini belirleyen bir uç. Step motorlarda: Tüm bobinlerin ortasında birleşen ve besleme geriliminin uygulandığı kablo, referans noktası. PLC bağlantılarında: Birden fazla dijital girişi tek bir noktada birleştiren, bağlantı sayısını artırmadan I/O sayısını artıran uç.

BJT transistör DC polarma devreleri şunlardır: Sabit beyz polarması. Emiteri kararlı polarma devresi. Voltaj bölücü polarma devresi. Kollektör geri beslemeli polarma devresi. Bu devreler, transistörün yükselteç olarak kullanılabilmesi için gerekli olan DC çalışma gerilimlerini sağlar.

Hayır, BC547 ve BC557 aynı değildir. BC547, bir NPN transistörüdür; akım, taban (B) uygun şekilde biaslandığında toplayıcıdan (C) yayıcıya (E) doğru akar. Bu iki transistör, genellikle tamamlayıcı devrelerde, örneğin it-çek amplifikatörlerinde birlikte kullanılır.

J3Y transistörünün bozulması durumunda ne olacağına dair bilgi bulunamadı. Ancak, genel olarak bir transistör bozulduğunda, işlemci tam donanım özelliklerini karşılamayabilir ve çok yavaş çalışabilir. Transistör arızasını tespit etmek için multimetre gibi araçlarla bacak tespiti, direnç ölçümü veya gerilim seviyesi kontrolü yapılabilir.

Transistör iki temel işlem yapabilir: yükseltme ve anahtarlama. 1. Yükseltme: Düşük güçteki bir sinyalin daha yüksek güç seviyelerine çıkarılması. 2. Anahtarlama: Elektrik devresindeki akımı hızlı şekilde kesip açabilme.

Tristör ve transistör arasındaki temel farklar şunlardır: Tristör: 4 adet yarı iletken tabakadan oluşur. Gate (kapı) ucundan yeterli akım geçtiğinde tetiklenir ve anodundan katoduna doğru akım akar. Genellikle güç elektroniğinde kullanılır. Transistör: Yarı iletken malzemelerden (genellikle silikon) yapılır ve üç bacağı bulunur. Base (taban) ucuna uygulanan küçük bir akım, kolektör-emiter arasındaki daha büyük bir akımın geçişine izin verir. Analog devrelerde kuvvetlendirici, sayısal devrelerde ise anahtarlama elemanı olarak kullanılır.

Transistörde emiter (E) bacağı, üç bacaktan biridir.

Transistörlerin kılıf çeşitleri genel olarak üç ana kategoriye ayrılır: 1. Genel Amaçlı/Küçük Sinyal Transistörleri: Orta güçlü yükselteç veya anahtarlama devrelerinde kullanılır, metal veya plastik kılıf içerisinde üretilir. 2. Güç Transistörleri: Yüksek akım ve gerilim değerlerinde çalıştırılmak üzere tasarlanmıştır, genellikle metal kılıf içerisinde üretilir. 3. Radyo Frekans (RF) Transistörleri: Çok yüksek frekansla çalışan sistemlerde kullanılır, kılıf tipleri diğer transistörlerden farklılık gösterebilir. Ayrıca, transistörlerin uluslararası standardizasyona göre kodlanmasında Pro-Electron, JEDEC, JIS ve Doğu Blok gibi özel kılıf tipleri de bulunmaktadır.

TIP122 ve TIP121 transistörleri aynı değildir, ancak her ikisi de NPN tipi silikon güç transistörleri olup, monolitik Darlington konfigürasyonunda ve Jedec TO-220 paketinde üretilmiştir.

Transistör datasheeti okumak için aşağıdaki adımları izlemek gereklidir: 1. Başlık ve Üretici Bilgileri: Datasheetin başında transistörün parça numarası ve üreticisinin bilgileri yer alır. 2. Özellikler Özeti: Transistörün ana özellikleri ve teknik detayları sunulur, bu bölümde akım, gerilim, güç dereceleri, kazanç ve frekans özellikleri gibi bilgiler bulunur. 3. Uygulama Notları: Transistörün devre tasarımlarında nasıl kullanılacağına dair ipuçları, en iyi çalışma koşulları ve önerilen devre kurulumları hakkında bilgiler içerir. 4. Grafik ve Tablolar: Toplayıcı akım (Ic), taban akımı (Ib), emiter akımı (Ie) gibi parametrelerin değişimini gösteren I-V eğrileri ve kazanç-frekans grafikleri yer alır. 5. Ayak Notları: Datasheetteki bazı spesifik test koşullarını, tipik değerleri ve sınırlamaları açıklayan footnotlar bulunur. Datasheeti okurken, transistörün belirli bir uygulama için uygun olup olmadığını anlamak adına tüm bu bilgilerin birlikte değerlendirilmesi önemlidir.

NPN transistör, elektronik cihazlarda küçük elektrik sinyallerini yükseltmek veya anahtarlamak amacıyla kullanılan bir yarı iletken devre elemanıdır. Başlıca işlevleri: - Yükseltme: Zayıf elektrik sinyallerini güçlendirerek, özellikle radyo, televizyon ve ses sistemlerinde yaygın olarak kullanılır. - Anahtarlama: Dijital devrelerde açma ve kapama işlemlerini gerçekleştirerek, dijital sinyallerin işlenmesi ve depolanmasını sağlar.

BF245C transistörünün maksimum dren-kapı voltajı (VDG) 30 volt olarak belirtilmiştir.

BJT (Bipolar Junction Transistor) ve FET (Field Effect Transistor) transistörleri arasındaki temel farklar şunlardır: 1. Çalışma Prensibi: BJT, akım kontrollü bir cihazdır ve çalışması için baz terminaline akım gerektirir. 2. Giriş Empedansı: BJT'lerin giriş empedansı daha düşüktür, bu da güç kaynağından daha fazla akım çektikleri anlamına gelir. 3. Kazanç: BJT'ler, FET'lere göre daha yüksek kazanç sağlar. 4. Boyut: BJT'ler daha büyüktür ve daha fazla fiziksel alan kaplar. 5. Maliyet: BJT'ler daha ucuzdur, FET'ler ise özellikle MOSFET'ler daha maliyetlidir.

Anahtarlama elemanlarının akım-gerilim grafiğinin nasıl çizileceğine dair bilgi bulunamadı. Ancak, anahtarlama elemanlarının akım-gerilim eğrilerini içeren bazı kaynaklar şunlardır: megep.meb.gov.tr. mtod.mebnet.net. elektrikport.com. munzur.edu.tr.

Arduino'da ON/OFF (toggle) anahtarı, basıldığında durumunu (ON'dan OFF'a veya OFF'tan ON'a) değiştiren ve serbest bırakıldığında bu durumu koruyan bir anahtardır. Çalışma prensibi: İki kablolu anahtar: Arduino'nun giriş pinine bağlanır; GND'ye bağlı pin LOW olduğunda (0 voltaj) anahtar OFF, VCC'ye bağlı pin HIGH olduğunda (5 voltaj) ise ON konumdadır. Debounce işlemi: Anahtarın hızlı tıklamalarını önlemek için debouncing yapılması önerilir; bu işlem, ezButton gibi kütüphaneler kullanılarak yapılabilir. Kullanım örnekleri: Durum değişikliği eylemi: Anahtarın durumu ON'dan OFF'a veya OFF'tan ON'a değiştiğinde belirli bir işlem yapılabilir. Durum kontrolü eylemi: Anahtar ON konumundayken bir işlem, OFF konumundayken ise başka bir işlem gerçekleştirilebilir.

2SC577 transistörünün yerine kullanılabilecek bazı alternatifler: 2SC2563, 2SC2563-O, 2SC2563-R, 2SC2563-Y; 2SC2578, 2SC2579, 2SC2580, 2SC2581; 2SC2706, 2SC2706-O, 2SC2706-R, 2SC2706-Y; 2SC3180, 2SC3180-O, 2SC3180-R; 2SC3181, 2SC3181-O, 2SC3181-R. Ayrıca, 2SC577'nin NPN tipi bir transistör olduğu göz önüne alındığında, tamamlayıcı PNP transistörü olarak 2SA1102 kullanılabilir. Transistör değişimi yaparken bir uzmana danışılması önerilir.

BJT (Bipolar Junction Transistor) transistör formülleri şunlardır: 1. Akım Kazancı (β) Formülü: Kollektör akımının (Ic) taban akımına (Ib) oranıdır ve β sembolü ile gösterilir. Matematiksel olarak: Ic = β Ib şeklinde ifade edilir. 2. Emiter Akımı Formülü: Emiter akımı (Ie), kollektör akımı (Ic) ve taban akımının (Ib) toplamına eşittir. Matematiksel olarak: Ie = Ic + Ib şeklinde yazılır. 3. Giriş Karakteristiği Formülü: Taban akımının (Ib) taban-emiter voltajına (VBE) göre değişimini gösterir. 4. Çıkış Karakteristiği Formülü: Kollektör akımının (Ic) kollektör-baz voltajına (VCB) göre değişimini gösterir.

Transistörün LED yakması için kollektör (collector) ucundan akım geçmesi gerekir.

Transistör tetikleme çeşitli yöntemlerle yapılabilir: 1. Geyt Kontrollü Tetikleme: Transistörün geyt ucuna kısa süreli tetikleme akımı uygulanarak anot-katot arası direnç azaltılır ve akımın geçmesi sağlanır. 2. Ayrı Bir DC Üretecinden Tetikleme: Transistöre harici bir DC üretecinden tetikleme akımı sağlanabilir. 3. Ana Besleme Kaynağından Tetikleme: Transistörün geyt ve anot gerilimleri aynı kaynaktan sağlanabilir. 4. İzolasyon Trafosuyla Tetikleme: Tetikleme akımı, manyetik yolla darbe trafosu aracılığıyla transistörün geytine aktarılır. 5. Optokuplör ile Tetikleme: Kumanda devresi ile yük devresi arasında direkt bağlantı olmadan, optokuplör kullanılarak tetikleme yapılabilir. 6. Yüksek Sıcaklık ile Tetikleme: Transistörün sıcaklığı artırılarak anot-katot arasının iletkenliği sağlanabilir, ancak bu yöntem uygulamada tercih edilmez. Transistör tetikleme yöntemleri, kullanılan transistörün türüne ve devre tasarımına göre değişiklik gösterebilir.

IRF540 ve IRF640 MOSFET transistörlerinin temel farkları şunlardır: - Voltaj Derecesi: IRF640, IRF540'a göre iki kat daha yüksek voltaj (maksimum 200V) işleyebilir. - Akım Kapasitesi: IRF540, 23A sürekli akım taşıyabilirken, IRF640 18A sürekli akım taşıyabilir. - Termal Özellikler: IRF640, daha iyi termal yönetim sunar ve ısı lavaboları veya aktif soğutma yöntemleri gerektirir. Bu farklılıklar, IRF640'ın daha zorlu ve yüksek akım gerektiren uygulamalar için daha uygun olmasını sağlar.