Fotolitografi ve fotorezist yarı iletken üretiminde önemli adımlardır. Fotolitografi süreci, bir yüzey üzerinde desenli bir kaplama oluşturmak için kullanılır. Bu süreç genellikle şu adımları içerir: 1. Tasarım: Yüzeyde oluşturulması gereken desen veya görüntü özel yazılımlarla tasarlanır. 2. Maske Oluşturma: Tasarımı içeren bir maske oluşturulur. 3. Gofretin Hazırlanması: Gofret temizlenir ve üzerine fotorezist adı verilen ışığa duyarlı bir malzeme uygulanır. 4. Pozlama: Maske gofretin üzerine yerleştirilir ve UV ışığına maruz bırakılır, bu da deseni gofrete aktarır. 5. Geliştirme: Maruz kaldıktan sonra gofret, fotorezistin geliştirildiği kimyasal bir çözeltiye daldırılır. 6. Aşındırma: Daha sonra gofret, fotorezist katmanı tarafından korunmayan malzemenin kaldırıldığı bir aşındırma işlemine tabi tutulur. Fotorezist ise iki ana türde olabilir: - Pozitif Fotorezist: UV ışığına maruz kaldığında geliştirici solüsyonda çözünür hale gelir ve maruz kalan alanların yıkanarak uzaklaştırılmasına olanak tanır. - Negatif Fotorezist: UV ışığına maruz kaldıktan sonra geliştirici içinde çözünmez hale gelir ve bu da maruz kalmayan alanların kaldırılmasına neden olur.