Transistör

Transistör, üç yarı iletken bölgeden oluşur. Emiter: Katkı yoğunluğu baza göre yüksek olan bölgedir. Kollektör: Diğer yarı iletken bölgedir. Baz: Ortadaki yarı iletken bölgedir. Transistörler, yüzey birleşmeli (jonksiyon) transistör, nokta temaslı transistör ve unijonksiyon transistör gibi farklı türlerde olabilir. En yaygın transistör türlerinden olan bipolar jonksiyon transistör (BJT), NPN ve PNP olmak üzere iki çeşitte üretilir.

Transistörde DC analiz yapmak için aşağıdaki adımlar izlenebilir: 1. Devre Kurulumu: Gerekli malzemeler temin edilerek devre bread board üzerine kurulur. 2. Elemanların Bağlanması: IB, IC ve IE akımlarını ölçmek için ampermetreler bağlanır. 3. Potansiyometre Ayarı: Tablodaki IC akım değerlerine göre potansiyometre ayarlanır. 4. Ölçüm ve Kayıt: Her bir IC akımına karşılık gelen IB ve IE akımları ölçülüp sonuçlar tabloya kaydedilir. 5. Matematiksel Hesaplama: Transistörün giriş karakteristiği kullanılarak IB, IC, IE ve VCE değerleri hesaplanır. 6. Karşılaştırma: Ölçüm sonuçları ile matematiksel hesaplamalar karşılaştırılır. DC analizde kullanılan iki önemli parametre: βDC (DC akım kazancı); αDC. DC analiz, transistörün çalışma bölgesinin belirlenip uygun akım ve gerilimlerin hesaplanmasını sağlar.

Çakar devrelerinde genellikle BC547 veya BC546 gibi NPN transistörler kullanılır. Ayrıca, TIP122 ve TIP117 gibi transistörler de bazı devrelerde yer alabilir.

Transistör bağlantı şeması oluşturmak için aşağıdaki adımlar izlenebilir: 1. Transistör Tipini Belirleme: Transistörün NPN veya PNP tipinde olup olmadığını tespit edin. 2. B-E ve B-C Bağlantıları: - NPN Transistör: Beyz (B) ve emiter (E) doğru polarize edilirken, beyz ve kollektör (C) ters polarize edilir. - PNP Transistör: Beyz negatif, emiter ve kollektör pozitif polarize edilir. 3. Devre Kurulumu: - Breadboard Kullanımı: Devreyi breadboard üzerine kurun. - Gerilim Kaynakları: Güç kaynağının sabit uçlarını kullanın ve gerilimin doğru değerde olduğundan emin olun. 4. Ölçüm ve Test: - Dijital AVOmetre: Transistörün sağlamlığını kontrol edin. - Osilaskop: Sinyal seviyelerini ve gerilim kazançlarını ölçün. Transistör bağlantı şeması oluştururken, transistörün çalışma prensiplerini ve polarizasyon gereksinimlerini dikkate almak önemlidir.

H11A1 transistör çıkışlı optokuplör entegresi DIP-6, giriş ve çıkış devreleri arasında elektriksel yalıtım sağlayarak sinyal iletimini optik yöntemle gerçekleştiren bir cihazdır. Bazı teknik özellikleri: Paket: DIP-6. Çıkış: Fototransistör. İzole gerilim: 5000 Vrms (minimum). Toplam gerilim: 35 V. Toplam akım: 50 mA (maksimum). Çalışma sıcaklık aralığı: -55°C - 100°C. CTR (Current Transfer Ratio): %20 - %300. Kullanım alanları: Endüstriyel kontrol sistemleri. Güç kaynakları (anahtarlamalı güç kaynaklarında sinyal izolasyonu). Tüketici elektroniği (ev aletleri ve diğer elektronik cihazlarda izolasyon gereksinimleri). Telekomünikasyon (veri iletimi ve sinyal izolasyonu).

TDA7377 transistörünün çalışma voltajı aralığı 8V ile 18V arasındadır. Bu voltaj aralığı, TDA7377'nin hem araç ses sistemlerinde hem de ev ses sistemlerinde çeşitli güç kaynaklarıyla uyumlu çalışmasını sağlar.

Transistörlü optokuplör, iki devre arasında elektriksel izolasyon sağlayarak sinyal aktarımını mümkün kılar. Transistörlü optokuplörün bazı kullanım alanları: Endüstriyel kontrol sistemleri. Mikrodenetleyici uygulamaları. DC-DC veya AC-DC dönüştürücüler. Veri iletim sistemleri. Transistörlü optokuplör, genellikle ortalama bir hıza sahiptir.

Yükselteç devresinin kodlanması, kullanılan transistörün türüne ve devre tasarımına göre değişir. Genel olarak, transistörlerin kodlanmasında uluslararası standart kodlar kullanılır. Transistörlü yükselteç devrelerinin kodlanmasında aşağıdaki adımlar izlenir: 1. DC Analizi: Transistörün özelliklerine uygun DC polarma akım ve gerilimlerinin belirlenmesi. 2. AC Analizi: Devrenin AC sinyaline tepkisinin incelenmesi ve kazanç gibi parametrelerin hesaplanması. 3. Devrenin Simülasyonu: Proteus gibi simülasyon programlarında devrenin kurulması ve test edilmesi. 4. Gerçek Devre Kurulumu: Teorik ve simülasyon sonuçlarının doğrulanması için gerçek devrenin kurulması. Kodlama örnekleri arasında, Avrupa Pro-electron standardı (AC187, BC237 gibi), Amerikan JEDEC standardı ve Japon (JIS) standardı bulunur.

Transistör doyma akımı, transistörün kollektör-yayıcı geriliminin (VCEsat) eşik gerilimine çok yaklaştığı doyma bölgesinde, transistörün çıkış akımıdır. Doyma bölgesinde, her iki jonksiyon da iletim yönünde kutuplanmıştır. Transistörün doyma gerilimi VCEsat ile gösterilir ve bu gerilim, transistörün yapım tekniğine ve katkı yoğunluklarına bağlı olarak değişir.

BC556 ve BC557 transistörleri arasındaki bazı farklar: Maksimum toplayıcı akımı (IC). Çalışma sıcaklığı (Tj). Maksimum güç dağılımı (Abs). BC556 ve BC557, PNP genel amaçlı transistörlerdir ve TO-92 veya SOT54 paketlerinde bulunurlar.

2T3511A transistörü hakkında bilgi bulunamadı. Ancak, 2T3511 transistörü hakkında bilgi verilebilir. 2T3511, NPN tipinde bir bipolar kavşak transistörüdür (BJT). Bazı özellikleri şunlardır: Malzeme: Silikon (Si). Paket: TO92. Maksimum toplayıcı güç dağılımı: 0,2 W. Maksimum toplayıcı-taban gerilimi: 20 V. Maksimum toplayıcı-emiter gerilimi: 18 V. Maksimum emiter-taban gerilimi: 5 V. Maksimum toplayıcı akımı: 0,15 A. Geçiş frekansı: 120 MHz. Çalışma bağlantı sıcaklığı: 125 °C. İleri akım transfer oranı (hFE): 20. Gürültü figürü: dB.

JFET'in (Junction Field Effect Transistor) bazı özellikleri: Üç bacaklı yapı: JFET'ler G (Gate), S (Source) ve D (Drain) olmak üzere üç bacağa sahiptir. Yüksek giriş empedansı: JFET'lerin giriş empedansı 100 MOHM dolayında olup çok yüksektir. Dar frekans aralığı: Çalışabilecekleri frekans aralığı dardır. Isınma avantajı: Gate ucundan akım çekmedikleri için çok sayıda transistör içeren entegre devrelerde ısınma avantajı sağlar. Gürültü direnci: Bipolar transistörlere göre daha az parazit (gürültü) ile çalışırlar. Sıcaklık kararlılığı: Sıcaklık değişimlerinden az etkilenirler. Çeşitler: N-kanallı ve P-kanallı olmak üzere iki çeşidi vardır. Dezavantajlar: Çalışabilecekleri frekans aralığının dar olması ve çabuk hasar görebilmeleri.

Lambalı amfiler ve transistörlü amfiler arasında seçim, kişisel tercihlere ve kullanım amacına bağlıdır. Lambalı amfilerin avantajları: Ton kalitesi: Sıcak ve organik tonlar üretir. Dinamik aralık: Zengin ton seçenekleri sunar. Dezavantajları: Bakım: Daha fazla bakım gerektirir. Ağırlık: Genellikle daha ağırdır. Transistörlü amfilerin avantajları: Dayanıklılık: Daha az bakım gerektirir. Hafiflik: Daha hafiftir. Fiyat: Genellikle daha uygun fiyatlıdır. Dezavantajları: Ton doğallığı: Lambalı amfiler kadar doğal tonlar sunmayabilir. Sonuç olarak, ev kullanımı için transistörlü amfiler, sahne ve profesyonel kullanım için ise lambalı amfiler tercih edilebilir.

Anfi transistörlerinin ısınmasının birkaç nedeni olabilir: Aşırı akım: Transistörün üzerinden geçebilecek akım değeri aşıldığında aşırı ısınma meydana gelebilir. Kısa devre: Çıkışlarda kısa devre olması transistörlerin ısınmasına yol açabilir. Uygun olmayan adaptör: Amfiye düşük voltaj gelmesi veya adaptör ile amfi arasındaki kabloda voltaj düşmesi, transistörlerin ısınmasına neden olabilir. Hatalı bileşenler: Dirençlerin veya diğer bileşenlerin hatalı olması, transistörlerin ısınmasına yol açabilir. Transistörlerin aşırı ısınmasını önlemek için bu faktörlerin kontrol edilmesi ve gerekli önlemlerin alınması önemlidir.

TIP3055, yüksek akım ve voltaj dayanımına sahip bir NPN transistördür. Bazı kullanım alanları: Ses amplifikasyonu. Endüstriyel uygulamalar. Otomatik kontrol devreleri. TIP3055, ayrıca ısı yönetimi ve güvenli çalışma alanı gibi özelliklere sahiptir, bu da onu dayanıklı ve çeşitli elektronik projelerde kullanılabilir kılar.

Transistörler, iki ana devre analizinde kullanılır: 1. DC (Doğru Akım) Analizi: Transistörün çalışma bölgesi belirlenir ve bu bölge için uygun akım ve gerilimler hesaplanır. 2. AC (Alternatif Akım) Analizi: Transistörlü yükselteç tasarımında, eşdeğer devreler kullanılarak yapılır. Transistörler ayrıca, statik ve dinamik karakteristiklerinin analizi gibi daha spesifik analizlerde de kullanılabilir. Transistörlerin çeşitlerine göre özel analiz yöntemleri de olabilir, ancak genel olarak iki ana analiz türü bu şekildedir.

Transistörü tetikleyen bacağa "base" (beyz) bacağı denir. BJT (Bipolar Junction Transistor) transistörlerinde, base bacağına uygulanan akım ile diğer bacaklar arasındaki elektrik akımı kontrol edilebilir. NPN tipi transistörlerin iletime geçmesi için base bacağı pozitif gerilim ile tetiklenmelidir, PNP tipi transistörlerin iletime geçmesi için ise base bacağı toprağa, yani güç kaynağının negatif kısmına bağlanmalıdır.

Anfi transistörünün yanması durumunda aşağıdaki belirtiler gözlemlenebilir: Ses sistemi koruma moduna geçer ve çıkmaz. Cızırtılı veya bozuk ses gelebilir. Hoparlörlerden ses çıkmayabilir. Anfi aşırı ısınabilir. Transistör yanması, genellikle hoparlör çıkışlarının kısa devre yapması sonucu meydana gelir. Transistör arızası durumunda, bir elektronikçiden destek alınması önerilir.

Voltaj bölücü polarma devresi, transistörlerin beyz polarmasını sağlamak için gerilim bölücü dirençler kullanan bir devredir. Bu devrede, transistörün beyzine giden akım, RB1 ve RB2 dirençleri üzerinden ikiye ayrılır; bir kısmı I2 olarak RB2 üzerinden, diğer kısmı ise IB olarak transistörün beyzinden geçer. Bu devrenin düzgün çalışabilmesi için, I2 akımının IB akımına göre oldukça yüksek olması gerekir.

Transistörün anahtar olarak kullanılması için kesim (cut-off) veya doyum (saturation) bölgesinde çalıştırılması gerekir. Kesim bölgesi: Beyz akımı (IB) sıfır olduğunda, transistör kapalı bir anahtar gibi davranır ve kollektör akımı (IC) akmaz. Doyum bölgesi: Maksimum taban akımı uygulandığında, transistör açık bir anahtar gibi davranır ve kollektörden maksimum akım akar.