Bipolar junction transistor (BJT), elektron ve elektron deliklerini yük taşıyıcı olarak kullanan bir transistör türüdür. Temel özellikleri: - İki p-n kavşağı içerir ve bu kavşaklar, tek bir kristal içindeki n-tipi ve p-tipi yarı iletken bölgeler arasında oluşur. - Üç terminali vardır: emiter, baz ve kollektör. - Küçük bir akım baz terminaline uygulandığında, kollektör ve emiter terminalleri arasında daha büyük bir akımın kontrol edilmesini sağlar. BJT transistörler, modern bilgisayar sistemlerinde artık yaygın olarak kullanılmamakta, ancak BiCMOS gibi karışık sinyalli entegre devrelerde ve yüksek voltaj ve yüksek akım anahtarları ile RF amplifikatörlerinde tercih edilmektedir.