Diyot ve transistör akım-gerilim eğrilerini elde etmek için aşağıdaki yöntemler kullanılabilir: Devre Kurulumu ve Ölçümler: Diyotun akım-gerilim eğrisini elde etmek için, diyotun iki ucu arasındaki gerilimi (VD) ve geçen akımı (ID) ölçen bir devre kurulur. DC gerilim kaynağı kademeli olarak artırılır ve her adımda VD ve ID değerleri ölçülür. Bu veriler kullanılarak VD-ID grafiği çizilir. Benzetim Programları: Benzetim programları kullanılarak diyotun akım-gerilim eğrisi oluşturulabilir. Programda, gerilim kaynağı değerleri değiştirilerek ID akımı hesaplanır ve sonuçlar grafik haline getirilir. Formül Kullanımı: Diyotun akım-gerilim ilişkisi, ID = Io (exp(qVD/kT) - 1) formülü ile matematiksel olarak da gösterilebilir. Transistör akım-gerilim eğrileri, giriş ve çıkış karakteristik eğrileri üzerinden elde edilir. Giriş Karakteristiği: Kollektör-emiter gerilimi (VCE) sabit tutularak, baz akımı (IB) değiştirilir ve baz akımındaki değişimin baz-emiter gerilimine (VBE) etkisi ölçülür. Çıkış Karakteristiği: Baz akımı (IB) sabit tutularak, kollektör akımı (IC) ve kollektör-emiter gerilimi (VCE) arasındaki ilişki incelenir. Transistör akım-gerilim eğrilerinin elde edilmesi için daha karmaşık devre kurulumları ve ölçümler gerekebilir. Bu nedenle, doğru sonuçlar için bir uzmana danışılması önerilir.