Yazeka
Arama sonuçlarına göre oluşturuldu
Si/InAs/Si, silikon (Si) ve indium arsenit (InAs) katmanlarının moleküler ışın epitaksi (MBE) yöntemiyle silikon (Si) alt tabaka üzerine büyütülmesiyle oluşan bir epitaksiyel heteroyapıdır 123.
Bu yapıda:
- InAs katı çözümü, Si kapak katmanında oluşur 13.
- InAs zenginleştirilmiş bölgeler, yaklaşık 6 nm boyutunda ve iki tür düzenlenme gösterir 124. Bu düzenlenme, (101) ve (101̄) eğimli düzlemlerde ve [001] büyüme yönüne paralel (110) ve (11 ̄0) düzlemlerde gerçekleşir 124.
- Fotolüminesans, 1,3 μm bölgesinde gözlenir ve bu, sıralı bölgelerdeki eksitonların yeniden birleşmesine atfedilir 134.
5 kaynaktan alınan bilgiyle göre: